半导体刻蚀设备对密封件的纯度要求极高，任何微量金属离子析出都可能导致晶圆污染。质德采用超高纯全氟醚橡胶（FFKM）材料，金属离子（Na、K、Fe、Cu、Ni等）析出量低于1ppb，满足7nm及以下先进制程要求。
密封件在NF3、CF4、Cl2等刻蚀气体环境中表现出优异的耐腐蚀性，使用寿命超过6个月（传统FKM仅1-2个月）。已通过多家晶圆厂（FAB）验证，成功应用于等离子刻蚀机、原子层沉积（ALD）设备等关键部位。
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半导体刻蚀设备对密封件的纯度要求极高，任何微量金属离子析出都可能导致晶圆污染。质德采用超高纯全氟醚橡胶（FFKM）材料，金属离子（Na、K、Fe、Cu、Ni等）析出量低于1ppb，满足7nm及以下先进制程要求。
密封件在NF3、CF4、Cl2等刻蚀气体环境中表现出优异的耐腐蚀性，使用寿命超过6个月（传统FKM仅1-2个月）。已通过多家晶圆厂（FAB）验证，成功应用于等离子刻蚀机、原子层沉积（ALD）设备等关键部位。
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